Word sized memory access is allowed to unaligned memory addresses.Words are stored in the little-endian order.
字组（word, 4位
组）长度
记忆
存取允许
记忆位址，字组是以低位字节
前顺序储存记忆中。
jì yì tǐ
- memory
- RAM
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁磁性性质，被预期能运用磁性记忆件和积电路材料上。
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- memory
- RAM
Word sized memory access is allowed to unaligned memory addresses.Words are stored in the little-endian order.
字组（word, 4位元组）长度的
存取允许不对齐位址，字组是以低位字节前的顺序储存中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓
具有室温铁磁性的性质，被预期能运用磁性的元件和积电路的。
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- memory
- RAM
Word sized memory access is allowed to unaligned memory addresses.Words are stored in the little-endian order.
字组（word, 4位元组）长度的记忆体存取允许不对齐记忆体位址，字组是以低位字节前的顺序储存记忆体中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用磁性记忆体的元件和积体电路的材料上。
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- memory
- RAM
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组（word, 4
元组）长度的记忆体存取允许不对齐记忆体
，组是以低节前的顺序储存记忆体中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁
性的性质，被预期能运
性记忆体的元件和积体电路的材料上。
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- memory
- RAM
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字
（word, 4位元）长度的记忆体存取允许不对齐记忆体位址，字
低位字节前的顺序储存记忆体中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预
用磁性记忆体的元件和积体电路的材料上。
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- memory
- RAM
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字（word, 4）长度的记忆体存取允许不对齐记忆体址，字是低字节前的顺序储存记忆体中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用磁性记忆体的件和积体电路的材料上。
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- memory
- RAM
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字组（word, 4元组）长度的存取允许不对齐址，字组是以低字节前的顺序储存中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁
的质，被预期能运用的元件和积电路的材料上。
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- memory
- RAM
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字组（word, 4位元组）长度的存取允许不对位址，字组是以低位字节前的顺序储存中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用磁性的元件和积电路的材料上。
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- RAM
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字组（word, 4位元组）长
忆体存取允许不对齐忆体位址，字组是以低位字节前顺序储存忆体中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓上具有室温铁磁性性质，被预期能运用磁性忆体元件和积体电路上。
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