The jitter is less than 3ns when the switch breakdown at front edge under the pluse with 400ns risetime, while the jitter shorts to about 1ns under the pulse with 80ns risetime.
引入紫外预电离作
后，
关抖动大大减小，400ns前沿
冲作
关抖动可小于3ns，80ns前沿冲作时关抖动
1ns。
diàn lí zuò yòng
ionization
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ionizationThe jitter is less than 3ns when the switch breakdown at front edge under the pluse with 400ns risetime, while the jitter shorts to about 1ns under the pulse with 80ns risetime.
引入紫外预电离作用后，开关抖动大大减小，400ns前沿冲作用下开关抖动可小于3ns，80ns前沿冲作用时开关抖动约1ns。
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引入紫外预电
后，开关抖
大大减小，400ns前沿冲下开关抖可小于3ns，80ns前沿冲时开关抖约1ns。
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引入紫外预电离作用后，开关抖动大大减小，400ns前
作用下开关抖动可小于3ns，80ns前作用时开关抖动约1ns。
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引入紫外预电离作用后，开关抖动
，400ns前沿冲作用下开关抖动可于3ns，80ns前沿冲作用时开关抖动约1ns。
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引入紫外预电离后，开关抖动大大减小，400ns前沿冲开关抖动可小于3ns，80ns前沿冲时开关抖动约1ns。
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引入紫外预电离作用后，开关抖动大大减，400ns
冲作用下开关抖动可于3ns，80ns冲作用时开关抖动约1ns。
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引入紫外预电离作用后，开
大大减小，400ns前沿冲作用下开可小于3ns，80ns前沿冲作用时开约1ns。
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引
预电离作用后，开关抖动大大减小，400ns前沿冲作用下开关抖动可小于3ns，80ns前沿冲作用时开关抖动约1ns。
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