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Raumladungszone

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die 空间区,空间
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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空间

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hintüber, hintun, hintunergehen, hinüber, hinüber-, hinüberbemühen, hinüberbringen, hinüberdringen, hinübereilen, hinüberfahren,

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Raumladungssteuerung, Raumladungsstrom, Raumladungswelle, Raumladungswirkung, Raumladungswolke, Raumladungszone, Räumlänge, Raumlehre, Räumleistung, Raumlenker,
die 空区,空
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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hinüberkönnen, hinüberlangen, hinüberlaufen, hinübermüssen, hinübernehmen, hinüberreichen, hinüberschallen, hinüberschauen, hinüberschicken, hinüberschieben,

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Raumladungssteuerung, Raumladungsstrom, Raumladungswelle, Raumladungswirkung, Raumladungswolke, Raumladungszone, Räumlänge, Raumlehre, Räumleistung, Raumlenker,
die 空区,空
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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hinübertun, hinüberwachsen, hinüberwechseln, hinüberwerfen, hinüberziehen, Hin-und Herbewegung, Hin-und Herbiegeprobe, Hin-und Herbiegeversuch, Hin-und Herfahrt, Hin-und Herschwingung,

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Raumladungssteuerung, Raumladungsstrom, Raumladungswelle, Raumladungswirkung, Raumladungswolke, Raumladungszone, Räumlänge, Raumlehre, Räumleistung, Raumlenker,
die
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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hinunterführen, hinuntergehen, hinuntergisßen, hinunterhelfen, hinunterklettern, hinunterkommen, hinunterkönnen, hinunterlangen, hinunterlassen, hinuntermüssen,

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Raumladungssteuerung, Raumladungsstrom, Raumladungswelle, Raumladungswirkung, Raumladungswolke, Raumladungszone, Räumlänge, Raumlehre, Räumleistung, Raumlenker,
die
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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hinunterschlucken, hinuntersteigen, hinuntertragen, hinunterwerfen, hinunterwürgen, hinunterziehen, hinwagen, hinwärts, hinweg, Hinweg,

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Raumladungssteuerung, Raumladungsstrom, Raumladungswelle, Raumladungswirkung, Raumladungswolke, Raumladungszone, Räumlänge, Raumlehre, Räumleistung, Raumlenker,

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Hinweistafel, Hinweistext, Hinweisung, Hinweiszeichen, hinwelken, hinwenden, Hinwendung, hinwerden, hinwerfen, hinwetsschilder,

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Raumladungssteuerung, Raumladungsstrom, Raumladungswelle, Raumladungswirkung, Raumladungswolke, Raumladungszone, Räumlänge, Raumlehre, Räumleistung, Raumlenker,

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hinzu-, hinzu kommt, hinzubekommen, hinzudenken, hinzufügen, Hinzufügung, hinzugefügt, hinzugesellen, hinzugießen, hinzukommen,

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Raumladungssteuerung, Raumladungsstrom, Raumladungswelle, Raumladungswirkung, Raumladungswolke, Raumladungszone, Räumlänge, Raumlehre, Räumleistung, Raumlenker,
die 空区,空
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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hinzuziehen, Hinzuziehung, Hiobsbotschaft, Hiobsträne, Hionig, hip, HIPER, HiperLAN/2, Hip-Hop, hipp hipp hurra!,

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Raumladungssteuerung, Raumladungsstrom, Raumladungswelle, Raumladungswirkung, Raumladungswolke, Raumladungszone, Räumlänge, Raumlehre, Räumleistung, Raumlenker,
die 荷区,荷层
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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荷区

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Hippodrom, Hippodrome, Hippokampus, Hippokratiker, hippokratisch, Hippologie, Hippopotamus, Hippurit(Hippurit), Hippursäure, HIPS,

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Raumladungssteuerung, Raumladungsstrom, Raumladungswelle, Raumladungswirkung, Raumladungswolke, Raumladungszone, Räumlänge, Raumlehre, Räumleistung, Raumlenker,
die
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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Hirnforschung, Hirngespenst, Hirngespinst, Hirnhaut, Hirnhäute, Hirnhautentzündung, Hirnholz, Hirnholzverbindung, Hirninfarkt, Hirnkasten,

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Raumladungssteuerung, Raumladungsstrom, Raumladungswelle, Raumladungswirkung, Raumladungswolke, Raumladungszone, Räumlänge, Raumlehre, Räumleistung, Raumlenker,
die 荷层
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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Hirnschmalz, Hirnstamm, Hirnstimulator, Hirnstromkurve, Hirntod, Hirntumor, hirnverbrannt, hirnverletzt, Hirnverletzung, Hirnzelle,

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Raumladungssteuerung, Raumladungsstrom, Raumladungswelle, Raumladungswirkung, Raumladungswolke, Raumladungszone, Räumlänge, Raumlehre, Räumleistung, Raumlenker,