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GateOxid
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栅二氧化硅,是MOS(场效应管)
栅
主
成分,
薄,这样只
有
小
流就能形成足够
压,从而构建导
通道。
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栅二氧化硅,是MOS(场效应管)
栅电容
成分,
薄,这
有
小
电流就能形成足够
电压,从而构建导电通道。
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栅二氧化硅,是MOS(
管)的栅电容的主要成分,
薄,这样只要有
小的电
形成足够的电压,从而构建导电通道。
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栅二氧化硅,是MOS(场效应管)的栅电容的主要
,
,
样只要有
小的电流就能形
足够的电压,从而构建导电通道。
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栅二氧化硅,是MOS(场效应管)的栅电容的主要成分,
薄,这样只要有
小的电流就能形成足够的电压,从
导电通道。
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栅二氧化
,
MOS(
效应管)的栅电容的主要
分,
薄,这样只要有
小的电流就
足够的电压,从而构建导电通道。
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栅二氧化硅,是MOS(场
)的栅
容的主要成分,
薄,这样只要有
小的
能形成足够的
压,从而构建导
通道。
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栅氧化物,栅氧化层
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栅二氧化硅,是MOS(
管)的栅电容的主要成分,
薄,这样只要有
小的电
形成足够的电压,从而构建导电通道。
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【微电】
栅氧化物,栅氧化层
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二氧化硅,是MOS(场效应管)的
容的主要成分,
薄,这样只要有
小的
流就能形成足够的
,
而构建导
通道。
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