Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片感应炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸晶片数目每18个月翻番）所依据各种因素驱动下，信息技术以极快，个接个地向发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米以上激光束校正器，以及为此专门设计部件，包括控制系统、相传感器和双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光器等中使），作为硅晶片种掺杂剂和制造可于制造超晶格物质和高性能集成电路砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片的感应炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸的晶片数目每18个月翻一番）所依据的各种因素的驱动下，术以极快的速度，一个接一个地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米以上激光束的波前校正器，以及专门设计的部件，包括控制系统、相前传感器和双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光器等中使），作硅晶片的一种掺杂剂和制造可于制造超晶格物质和高性能集成电路的砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片的感应炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸的晶片数目每18个月翻一番）所依据的各种因素的驱动下，信息技术以极快的速度，一个接一个地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米以上激光束的波前校正器，以及为此专门设计的部件，包括控制系统、相前传感器双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光器等中使），作为硅晶片的一种掺制造可于制造超晶格物质高性能集成电路的砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片的感应炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（平方英寸的晶片数18月翻一番）所依据的各种因素的驱动下，信息技术以极快的速度，一接一地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米以上激光束的波前校正，以及为此专门设计的部件，包括控制系统、相前传感压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光等中使），作为硅晶片的一种掺杂剂制造可于制造超晶格物质高性能集成电路的砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导片炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸片数目每18个月翻一番）所依据各种因素驱动下，信息技术以极快速度，一个接一个地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米以上激光束波前校正器，以及为此专门设计部件，包括控制系统、相前传器和双压电片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化（在移动电话、激光器等中使），作为硅片一种掺杂剂和制造可于制造超格物质和高性能集成电路砷气（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片的感应炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸的晶片数目每18个月翻一番）所依据的各种因素的驱动下，信息技快的速度，一个接一个地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米上激光束的波前校正，为此专门设计的部件，包括控制系统、相前传感和双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光等中使），作为硅晶片的一种掺杂剂和制造可于制造超晶格物质和高性能集成电路的砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片的感应炉不加控制。

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在“穆尔法则”（每平方英寸的晶片数目每18个月翻番）所依据的各因素的驱动下，信息技术以极快的速度，个接个地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米以上激光束的波前校正器，以及为此专门设计的部件，包括控制系统、相前传感器和双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光器等中使），作为硅晶片的杂剂和制造可于制造超晶格物质和高性能集成电路的砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体感应炉不加控制。

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在“穆尔法则”（每平方英寸数目每18个月翻一番）所依据各种因素驱动下，信息技术以极快速度，一个接一个地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米以上激光束波前校正器，以及为此专门设计部件，包括控制系统、相前传感器和双压电等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓体（在移动电话、激光器等中使），作为硅一种掺杂剂和制造可于制造超格物质和高性能集成电路砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片感应炉不加。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸晶片数目每18个月翻一番）所各种因素驱动下，信息技术以极快速度，一个接一个地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米以上激光束波前校正器，以及为此专门设计部件，包括统、相前传感器和双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光器等中使），作为硅晶片一种掺杂剂和造可于造超晶格物质和高性能集成电路砷气体（H3As）。