The jitter is less than 3ns when the switch breakdown at front edge under the pluse with 400ns risetime, while the jitter shorts to about 1ns under the pulse with 80ns risetime.
引入紫外预电离作用后，开关抖动大大
，400ns
沿
冲作用下开关抖动可于3ns，80ns沿冲作用时开关抖动约1ns。
diàn lí zuò yòng
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ionizationThe jitter is less than 3ns when the switch breakdown at front edge under the pluse with 400ns risetime, while the jitter shorts to about 1ns under the pulse with 80ns risetime.
引入紫外预电离作用后，开关抖动大大减小，400ns前沿冲作用下开关抖动可小于3ns，80ns前沿冲作用时开关抖动约1ns。
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ionizationThe jitter is less than 3ns when the switch breakdown at front edge under the pluse with 400ns risetime, while the jitter shorts to about 1ns under the pulse with 80ns risetime.
引入紫外预电离作
，
关抖动大大减小，400ns前沿冲作下关抖动可小于3ns，80ns前沿冲作时关抖动约1ns。
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ionizationThe jitter is less than 3ns when the switch breakdown at front edge under the pluse with 400ns risetime, while the jitter shorts to about 1ns under the pulse with 80ns risetime.
引入紫外预电离作用后，开关抖动大大减小，400ns前沿冲作用下开关抖动可小于3ns，80ns前沿冲作用时开关抖动约1ns。
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引入紫外预电离作用后，开关抖动大大，400ns沿冲作用下开关抖动可于3ns，80ns沿冲作用时开关抖动约1ns。
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引入紫外预电离作，关抖动大大减小，400ns前沿冲作下关抖动可小于3ns，80ns前沿冲作时关抖动约1ns。
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引入紫外预电离作后，关抖动大大减小，400ns前沿冲作
关抖动可小于3ns，80ns前沿冲作时关抖动
1ns。
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引入紫外预电离作用后，开
大大减小，400ns前沿冲作用下开可小于3ns，80ns前沿冲作用时开约1ns。
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引入紫
离作用后，开关抖动大大减小，400ns前沿冲作用下开关抖动可小于3ns，80ns前沿冲作用时开关抖动约1ns。
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，
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