The main structure have:Electromagnet and Heng galvanism source, numerical type Gauss account(the effect of Huo Er) and ammeter and volt account, have control dish of illuminate the system.
电磁铁和恒流电源、数字式斯计 (霍尔效应)、安培计和伏特计、配有照明系统的控制盘。
The main structure have:Electromagnet and Heng galvanism source, numerical type Gauss account(the effect of Huo Er) and ammeter and volt account, have control dish of illuminate the system.
电磁铁和恒流电源、数字式斯计 (霍尔效应)、安培计和伏特计、配有照明系统的控制盘。
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件的总离子注入能力300
拉德(硅),
子效应为82兆电子伏特,同时有屏蔽型和商用现货型的产品。
声明:以上例句、词性分类均由互联网资源自动生成,部分未经过人工审核,其表内容亦不代表本软件的观点;若发现问题,欢迎向我们指正。
The main structure have:Electromagnet and Heng galvanism source, numerical type Gauss account(the effect of Huo Er) and ammeter and volt account, have control dish of illuminate the system.
电磁铁和恒流电源、数字式斯计 (霍尔效应)、安培计和伏特计、配有照明系统的控制盘。
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件的总离子注入能力300
拉德(硅),
子效应为82兆电子伏特,同时有屏蔽型和商用现货型的产品。
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电磁铁恒流电源、数字式高斯计 (霍尔效应)、安培计
计、配有照明系统
控制盘。
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件总离子注入能力高达300千拉德(硅),抗单粒子效应为82兆电子
,同时有屏蔽型
商用现货型
。
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电磁铁和恒流电源、数字式高斯计 (霍尔效应)、安培计和伏特计、配有照明系统的控制盘。
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件的总离子注入能力高达300千拉德(硅),抗单粒子效应为82兆电子伏特,同时有屏蔽型和商用现货型的产品。
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达内容亦不代
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磁铁和恒流
源、数字式高斯计 (霍尔效应)、安培计和
特计、配有照明系统
控制盘。
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件注入能力高达300千拉德(硅),抗单粒
效应为82兆
特,同时有屏蔽型和商用现货型
产品。
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电磁铁恒流电源、数字式高斯
(霍尔效应)、安培
特
、配有照明系统的控制盘。
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件的总离子注入能力高达300千拉德(硅),抗单粒子效应为82兆电子特,同时有屏蔽型
商用现货型的
。
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电磁铁和恒流电源、数字式高 (
尔效应)、安培
和伏特
、配有照明系统的控制盘。
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件的总离子注入能力高达300千拉德(硅),抗单粒子效应为82兆电子伏特,同时有屏蔽型和商用现货型的产品。
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The main structure have:Electromagnet and Heng galvanism source, numerical type Gauss account(the effect of Huo Er) and ammeter and volt account, have control dish of illuminate the system.
电磁铁恒流电源、数字式高斯计 (霍尔效应)、安培计
伏特计、配有照
的控制盘。
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件的总离子注入能力高达300千拉德(硅),抗单粒子效应为82兆电子伏特,同时有屏蔽用现货
的产品。
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The main structure have:Electromagnet and Heng galvanism source, numerical type Gauss account(the effect of Huo Er) and ammeter and volt account, have control dish of illuminate the system.
电磁铁和恒流电源、数字式高斯计 (霍尔效应)、安培计和伏特计、配有照明系统的。
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件的总离子注入能力高达300千拉德(硅),抗单粒子效应为82兆电子伏特,同有
蔽型和商用现货型的产品。
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