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MR头更为敏感，相同的场变化能引起更大的电值变化，实现更高的存储密度。
= gigantischer Magnetowiderstand
giant magnetoresistance, GMR
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了磁阻效应更好材料和多层薄膜结构，比MR磁更为敏感，相同磁场变能引起更大电阻值变，实现更高存储密度。
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